Phase-changeメモリ(PCM、PCRAM、乳母車)が入った新しいタイプの不揮発性記憶技術有望広い応用伝導率の差を利用して結晶の記憶させるchalcogenides状態と無定形性などの特徴が持つ高速アクセス長寿を不揮発性のデータ記憶低消費電力、高密度、いい放射抵抗更新データ消去を示す図である。pcm製品は主にipマクロとスタンドアローンのメモリチップです。
現在、pcramのipマクロは最大8 mbの容量をサポートしており、アプリケーションや設計要件に応じてリード/ライトビット幅を設定できます。pcm ipのリード/ライトサイクルは,それぞれ20ns~100ns, 600ns~1usである。また、書き込みデータを85°cで10年以上保存できるため、dramとフラッシュの両方に対応しています。このipは現在、smicの40nm ~ 110nmプロセスで利用可能で、オンチップram、eeprom、およびnor-flashの理想的な代替品となっています。
同時に,現在最大64 mビット,以降の量産品で最大8 gバイトをサポートするスタンドアロン型pcmメモリチップも提供する。冗長アレイはチップ上にセットアップされ、edacアルゴリズムが統合されています。カスタマイズされたインタフェースプロトコルとバスビット幅に対応しています。10^8以上の書込みサイクルと高い信頼性を備えているため、フラッシュメモリチップを置き換えるのに理想的な選択肢です。
PCRAM IP Macro | ||||
マクロ名 | XPMP001M | XPMP002M | XPMP004M | XPMP008M |
メモリ構成 | 32,768 x 32bit | 65,536 x 32 bits | 131,072 x 32 bits | 262,144 x 32 bits |
プロセス | 40 nm ~ 110 nmのsmicプロセスに対応 | |||
読取り/書込み幅 | x 32 | |||
CFG幅 | x 32 | |||
遅延書く | < 500 ns | |||
読む遅延 | < 40 ns | |||
チップ用電源(avcc) | 2 V ~ 3.6 V | |||
デジタル電源(一端) | 1.1 V | |||
書き込み電流 | IAVCC < 40 uA / MHz; IDVDD < 60 uA / MHz | |||
現在読む | IAVCC < 20 uA / MHz; IDVDD < 60 uA / MHz | |||
現在待機 | IAVCC < 5 uA;IDVDD < 2 uA | |||
操作温度(まさか) | -40 ℃~ 125 ℃ | |||
持久力 | 10^8 Cycles | |||
保持 | 10 Years @ 85℃ |
PCRAM Standalone Memory | ||
マクロ名 | XPMS004MVD7 | XPMS064MVD |
密度 | 4 Mbit | 64 Mbit |
インターフェース | sramのようなパラレルインタフェース(spi、i2cなどに対応可能) | |
バス速度 | 10 MHz ~ 50 MHz | |
データ幅を | x16 (x8、x16、x32などに対応可能) | |
読む遅延 | 25 ~ 40 ns | |
遅延書く | 300 ~ 800 ns | |
電源 | 2.5 V ~ 3.6 V | |
能動電流 | Read ~ 1mA,Write ~ 4 mA | |
現在待機 | ~50 uA | |
現在睡眠 | < 5 uA | |
動作温度 | -55 ℃ ~ + 125 ℃ | |
記憶温度 | -40 ℃ ~ + 85 ℃ | |
持久力 | 10^8 Cycles | |
保持 | 10 Years @ 85℃ | |
Package | QFN48 (kgdなどに対応可能) | QFN8 (kgdなどに対応可能) |
冗長性 | 内蔵メモリー修復とedac |
PCRAM Standalone Memory | ||||
マクロ名 | XPMS256KVxx | XPMS512KVxx | XPMS001MVxx | XPMS004MVxx |
密度* | 256 Kbit | 512 Kbit | 1 Mbit | 4 Mbit |
インターフェース | SPI(モード0、モード3) | |||
バス速度 | 最大80 mhz(標準40 mhz) | |||
データ幅を | x1 (x2、x4用にカスタマイズ可能) | |||
電源 | 2.5 V ~ 3.6 V | |||
能動電流 | 20 mA @ 1 MHz(典型的な) | |||
現在待機 | 100 uA(典型的な) | |||
現在睡眠 | 50 uA(典型的な) | |||
動作温度 | -55 ℃ ~ + 125 ℃ | |||
記憶温度 | -40 ℃ ~ + 85 ℃ | |||
持久力 | 10^8 Cycles | |||
保持 | 10 Years @ 85℃ | |||
Package | 自在SOIC、TDFN | |||
冗長性 | 内蔵メモリ修理 |